SI8499DB-T2-E1 [VISHAY]

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET; P沟道20 V （D -S ）的MOSFET


元器件型号：	SI8499DB-T2-E1
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET P沟道20 V （D -S ）的MOSFET 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
PDF文件：	总9页 (文件大小：133K)
下载文档：	下载PDF数据表文档文件
型号参数：SI8499DB-T2-E1参数
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
IHS 制造商	VISHAY SILICONIX
包装说明	GRID ARRAY, R-PBGA-B6
针数	6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	1.53
Is Samacsys	N
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	16 A
最大漏极电流 (ID)	16 A
最大漏源导通电阻	0.046 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PBGA-B6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	20 A
认证状态	Not Qualified
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1